Mới đây, học sinh 18 tuổi Eesha Khare đến từ trường trung học Lynbrook High School (California) đã dành được hạng nhì trong giải thưởng Khoa học, kĩ thuật quốc tế do Intel tổ chức (ISEF). Khare nhận được giải này vì công trình nghiên cứu về một loại siêu tụ điện có thể giúp pin điện thoại được sạc đầy trong chỉ 20 đến 30 giây và tuổi thọ lên đến 10.000 vòng sạc, cao gấp 10 lần so với công nghệ hiện nay. Khare nhận được 50.000$ tiền thưởng từ ISEF và nó sẽ giúp cô trang trải việc học tại Đại học Harvard danh tiếng cũng như tiếp tục quá trình nghiên cứu của mình. Cô cho biết thêm rằng Google đã liên hệ với cô để bày tỏ mối quan tâm đến công nghệ siêu tụ nói trên, tuy nhiên Khare từ chối tiết lộ thêm thông tin ở thời điểm này. Cụ thể hơn, dự án mà Khare theo đuổi mang tên "Thiết kế và tổng hợp các nanorod hydro hóa TiO2-Polyaniline dành cho siêu tụ dẻo có hiệu suất cao". Được biết phát minh của Eesha còn có thể sử dụng trên những sản phẩm có tính phức tạp cao như xe điện, hệ thống LED, thậm chí là cả trong quá trình gia công và chế tạo màn hình dẻo trong tương lai. Giải pháp của Khare còn ở thể đặc, tức là nó sẽ không gây ra tình trạng pin bị "chảy nước" như hiện nay nên rất thân thiện với môi trường cũng như sức khỏe người dùng. Cũng tại ISEF 2013, đoàn Việt Nam chúng ta đạt được hai giải Tư và được xếp trên cả Pháp, Argentina, ngang hàng với Hàn Quốc, Nam Phi…
